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    如何把二氧化硅硅球表面

    作者:化工綜合網發布時間:2023-10-15分類:橡膠制品瀏覽:69


    導讀:一、如何把二氧化硅硅球表面氧化硅表面可能吸附部分水,不可能完全徹底,就是原硅酸脫水過程,而這個脫水過程,這個在硅膠制造過程是非常常見的,因為二氧化硅合成過程,不同二氧化硅處理工藝...

    一、如何把二氧化硅硅球表面

    氧化硅表面可能吸附部分水,不可能完全徹底,就是原硅酸脫水過程,而這個脫水過程,這個在硅膠制造過程是非常常見的,因為二氧化硅合成過程,不同二氧化硅處理工藝,可以控制其表面羥基含量

    二、沙子為什么能變成制作芯片用的硅?

    不是隨便抓一把沙子就可以做原料的,一定要精挑細選,從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下,如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU,那么成品的質量會怎樣,你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎?

    首先,硅原料要進行化學提純,這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路制造的加工需要,還必須將其整形,這一步是通過溶化硅原料,然后將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。

    而后,將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過,許多固體內部原子是晶體結構,硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求,整塊硅原料必須高度純凈,及單晶硅。然后從高溫容器中采用旋轉拉伸的方式將硅原料取出,此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看,硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的,不過只要企業肯投入大批資金來研究,還是可以實現的。intel為研制和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元,新技術的成功使得intel可以制造復雜程度更高,功能更強大的集成電路芯片。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的制造過程。

    在制成硅錠并確保其是一個絕對的圓柱體之后,下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片,切片越薄,用料越省,自然可以生產的處理器芯片就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑,之后檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要,它直接 決定了成品CPU的質量。

    新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料,而后在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙,彼此之間發生原子力的作用,從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體制造多選擇CMOS工藝(互補型金屬氧化物半導體)。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下,切片被摻入化學物質而形成P型襯底,在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計,這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下,必須盡量限制pMOS型晶體管的出現,因為在制造過程的后期,需要將N型材料植入P型襯底當中,而這一過程會導致pMOS管的形成。

    在摻入化學物質的工作完成之后,標準的切片就完成了。然后將每一個切片放入高溫爐中加熱,通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度,空氣成分和加溫時間,該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米制造工藝中,門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分,晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動,通過對門電壓的控制,電子的流動被嚴格控制,而不論輸入輸出端口電壓的大小。

    準備工作的最后一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用于同一層中的其它控制應用。這層物質在干燥時具有很好的感光效果,而且在光刻蝕過程結束之后,能夠通過化學方法將其溶解并除去。

    三、水晶和瑪瑙哪個是sio2快速冷卻形成的,哪個是sio2緩慢冷卻形成的

    這個問題很尖銳啊,呵呵,應該找有關的科學家解釋下更好。我就把我的理解說說吧。先說明一點,不是所有的水晶都與瑪瑙共生,與瑪瑙共生的水晶也通常是小水晶、水晶芽。 瑪瑙和水晶的主要成分都是二氧化硅,只是結晶不同,瑪瑙是多結晶體,而水晶是單體的。水晶的生長環境,多是在地底下、巖洞中,需要含有飽和的二氧化硅的水溶液,同時此中的壓力約需在大氣壓力下的二倍至三倍左右,溫度則需在550-600℃間,再給予適當時間,水晶就會依著「六方晶系」(hexagonal system)的自然法則,而結晶成六方柱狀的水晶了。而瑪瑙的形成要比水晶的條件簡單,時間也快。我們知道,在地球的深部有大量處于熔融狀態的巖漿。當受到地質構造活動影響時,巖漿上升,涌入地球表層----地殼,在這一過程中,由于溫度、壓力等條件的改變,便從巖漿中分離出含二氧化硅的熱水溶液。當它流入巖石縫隙中后,冷卻沉淀發生的如果很快,就只能形成細顆粒的瑪瑙和玉髓之類的;如果有充足的溫度和時間,就容易生長出水晶。

    四、硅酸鈉能直接制取2氧化硅?

    硅酸鈉不能直接制取2氧化硅。

    五、太陽能電池組件生產工藝流程

    太陽能電池組件生產工藝

    組件線又叫封裝線,封裝是太陽能電池生產中的關鍵步驟,沒有良好的封裝工藝,多好的電池也生產不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證,而且還增強了電池的抗擊強度。產品的高質量和高壽命是贏得可客戶滿意的關鍵,所以組件板的封裝質量非常重要。

    工藝流程如下:

    1、電池檢測——2、正面焊接—檢驗—3、背面串接—檢驗—4、敷設(玻璃清洗、材料切割、玻璃預處理、敷設)——5、層壓——6、去毛邊(去邊、清洗)——7、裝邊框(涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠)——8、焊接接線盒——9、高壓測試——10、組件測試—外觀檢驗—11、包裝入庫;

    1.2工藝簡介:

    在這里只簡單的介紹一下工藝的作用,給大家一個感性的認識,具體內容后面再詳細介紹:

    1、電池測試:由于電池片制作條件的隨機性,生產出來的電池性能不盡相同,所以為了有效的將性能一致或相近的電池組合在一起,所以應根據其性能參數進行分類;電池測試即通過測試電池的輸出參數(電流和電壓)的大小對其進行分類。以提高電池的利用率,做出質量合格的電池組件。

    2、 正面焊接:是將匯流帶焊接到電池正面(負極)的主柵線上,匯流帶為鍍錫的銅帶,我們使用的焊接機可以將焊帶以多點的形式點焊在主柵線上。焊接用的熱源為一個紅外燈(利用紅外線的熱效應)。焊帶的長度約為電池邊長的2倍。多出的焊帶在背面焊接時與后面的電池片的背面電極相連。(我們公司采用的是手工焊接)

    3、背面串接:背面焊接是將36片電池串接在一起形成一個組件串,我們目前采用的工藝是手動的,電池的定位主要靠一個膜具板,上面有36個放置電池片的凹槽,槽的大小和電池的大小相對應,槽的位置已經設計好,不同規格的組件使用不同的模板,操作者使用電烙鐵和焊錫絲將“前面電池”的正面電極(負極)焊接到“后面電池”的背面電極(正極)上,這樣依次將36片串接在一起并在組件串的正負極焊接出引線。

    4、層壓敷設:背面串接好且經過檢驗合格后,將組件串、玻璃和切割好的EVA 、玻璃纖維、背板按照一定的層次敷設好,準備層壓。玻璃事先涂一層試劑(primer)以增加玻璃和EVA的粘接強度。敷設時保證電池串與玻璃等材料的相對位置,調整好電池間的距離,為層壓打好基礎。(敷設層次:由下向上:玻璃、EVA、電池、EVA、玻璃纖維、背板)。

    5、組件層壓:將敷設好的電池放入層壓機內,通過抽真空將組件內的空氣抽出,然后加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起;最后冷卻取出組件。層壓工藝是組件生產的關鍵一步,層壓溫度層壓時間根據EVA的性質決定。我們使用快速固化EVA時,層壓循環時間約為25分鐘。固化溫度為150℃。

    6、修邊:層壓時EVA熔化后由于壓力而向外延伸固化形成毛邊,所以層壓完畢應將其切除。

    7、 裝框:類似與給玻璃裝一個鏡框;給玻璃組件裝鋁框,增加組件的強度,進一步的密封電池組件,延長電池的使用壽命。邊框和玻璃組件的縫隙用硅酮樹脂填充。各邊框間用角鍵連接。

    8、焊接接線盒:在組件背面引線處焊接一個盒子,以利于電池與其他設備或電池間的連接。

    9、高壓測試:高壓測試是指在組件邊框和電極引線間施加一定的電壓,測試組件的耐壓性和絕緣強度,以保證組件在惡劣的自然條件(雷擊等)下不被損壞。

    10、組件測試:測試的目的是對電池的輸出功率進行標定,測試其輸出特性,確定組件的質量等級。

    標簽:太陽能電池工藝流程組件


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